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公司代碼:688082 公司簡稱:盛美上海
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
2022年年度報告摘要
第一節(jié) 重要提示
1本年度報告摘要來自年度報告全文,為全面了解本公司的經(jīng)營成果、財務狀況及未來發(fā)展規(guī)劃,投資者應當?shù)絯ww.sse.com.cn網(wǎng)站仔細閱讀年度報告全文。
2重大風險提示
報告期內(nèi),不存在對公司生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生實質(zhì)性影響的特別重大風險。公司已在報告中詳細描述可能存在的相關風險,敬請查閱“第三節(jié) 管理層討論與分析:四、風險因素”部分內(nèi)容。
3本公司董事會、監(jiān)事會及董事、監(jiān)事、高級管理人員保證年度報告內(nèi)容的真實性、準確性、完整性,不存在虛假記載、誤導性陳述或重大遺漏,并承擔個別和連帶的法律責任。
4公司全體董事出席董事會會議。
5立信會計師事務所(特殊普通合伙)為本公司出具了標準無保留意見的審計報告。
6公司上市時未盈利且尚未實現(xiàn)盈利
□是 √否
7董事會決議通過的本報告期利潤分配預案或公積金轉(zhuǎn)增股本預案
經(jīng)公司第二屆董事會第三次會議審議通過《關于2022年度利潤分配預案的議案》,公司2022年度利潤分配預案如下:截至2022年12月31日,公司總股本共433,557,100股,擬每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利3.72元(含稅),共計派發(fā)現(xiàn)金紅利161,283,241.20元(含稅),本次利潤分配現(xiàn)金分紅金額占2022年合并報表歸屬于母公司股東凈利潤的24.13%。本次利潤分配不送紅股,不進行資本公積轉(zhuǎn)增股本。
如在公告披露之日起至實施權(quán)益分派股權(quán)登記日期間,因可轉(zhuǎn)債轉(zhuǎn)股、回購股份、股權(quán)激勵授予股份回購注銷、重大資產(chǎn)重組股份回購注銷等致使公司總股本發(fā)生變動的,公司擬維持分配總額不變,相應調(diào)整每股分配比例。如后續(xù)總股本發(fā)生變化,將另行公告具體調(diào)整情況。
該利潤分配預案尚需提交公司2022年度股東大會審議。
8是否存在公司治理特殊安排等重要事項
□適用 √不適用
第二節(jié) 公司基本情況
1公司簡介
公司股票簡況
√適用 □不適用
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公司存托憑證簡況
□適用 √不適用
聯(lián)系人和聯(lián)系方式
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2報告期公司主要業(yè)務簡介
(一)主要業(yè)務、主要產(chǎn)品或服務情況
1.主要業(yè)務
公司從事對先進集成電路制造與先進晶圓級封裝制造行業(yè)至關重要的單晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備、立式爐管設備和前道涂膠顯影設備和等離子體增強化學氣相沉積設備等的開發(fā)、制造和銷售,并致力于為半導體制造商提供定制化、高性能、低消耗的工藝解決方案,有效提升客戶多個步驟的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品良率,并降低生產(chǎn)成本。
2.主要產(chǎn)品
公司經(jīng)過多年持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)積累,先后開發(fā)了前道半導體工藝設備,包括清洗設備、半導體電鍍設備、立式爐管系列設備(包括氧化、擴散、真空回火、LPCVD、ALD)、涂膠顯影Track設備、等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備、無應力拋光設備;后道先進封裝工藝設備以及硅材料襯底制造工藝設備等。
(1)前道半導體工藝設備
①清洗設備
A.SAPS兆聲波單片清洗設備
晶圓表面的兆聲波能量與晶圓和兆聲波發(fā)生器之間的距離呈現(xiàn)周期性的變化。在傳統(tǒng)的兆聲波清洗工藝中,不同工序后應力帶來的晶圓翹曲,使得晶圓上不同點到兆聲波發(fā)生器的距離不同,因此晶圓上不同位置的兆聲波能量也不相同,無法實現(xiàn)兆聲波能量在晶圓表面的均勻分布。而且由于硬件位置控制的誤差,也會造成兆聲波能量在晶圓表面分布的不均勻。
公司自主研發(fā)的SAPS兆聲波技術(shù)采用扇形兆聲波發(fā)生器,通過精確匹配晶圓旋轉(zhuǎn)速度、液膜厚度、兆聲波發(fā)生器的位置、交變位移及能量等關鍵工藝參數(shù),通過在工藝中控制兆聲波發(fā)生器和晶圓之間的半波長范圍的相對運動,使晶圓上每一點在工藝時間內(nèi)接收到的兆聲波能量都相同,從而很好的控制了兆聲波能量在晶圓表面的均勻分布。
B.TEBO兆聲波單片清洗設備
公司自主研發(fā)的TEBO清洗設備,可適用于28nm及以下的圖形晶圓清洗,通過一系列快速(頻率達到每秒一百萬次)的壓力變化,使得氣泡在受控的溫度下保持尺寸和形狀振蕩,將氣泡控制在穩(wěn)定震蕩狀態(tài),而不會內(nèi)爆,從而保持晶圓微結(jié)構(gòu)不被破壞,對晶圓表面圖形結(jié)構(gòu)進行無損傷清洗。公司TEBO清洗設備,在器件結(jié)構(gòu)從2D轉(zhuǎn)換為3D的技術(shù)轉(zhuǎn)移中,可應用于更為精細的具有3D結(jié)構(gòu)的FinFET、DRAM和新興3D NAND等產(chǎn)品,以及未來新型納米器件和量子器件等,在提高客戶產(chǎn)品良率方面發(fā)揮越來越重要的作用。
公司通過自主研發(fā)并具有全球知識產(chǎn)權(quán)保護的SAPS和TEBO兆聲波清洗技術(shù),解決了兆聲波技術(shù)在集成電路單片清洗設備上應用時,兆聲波能量如何在晶圓上均勻分布及如何實現(xiàn)圖形結(jié)構(gòu)無損傷的全球性難題。為實現(xiàn)產(chǎn)能最大化,公司單片清洗設備可根據(jù)客戶需求配置多個工藝腔體,最高可單臺配置18腔體,有效提升客戶的生產(chǎn)效率。
C.高溫單片SPM設備
隨著技術(shù)節(jié)點推進到10nm及以下,工藝溫度要求在145攝氏度以上,甚至超過200攝氏度的SPM工藝步驟逐漸增加。高劑量離子注入后的光刻膠去除、無灰化步驟的純濕法去膠工藝,以及特殊的金屬膜層刻蝕或剝離,都對SPM的溫度提出了更高的要求。公司的新型單片高溫SPM設備使用獨特的多級梯度加熱系統(tǒng)來預熱硫酸,然后將硫酸與過氧化氫混合以達到超高溫。同時,公司的腔體支持配置其他多種化學品,并配備在線化學品混酸(CIM)系統(tǒng),可用于動態(tài)設置工藝中的化學品配比及溫度。該腔體配置還可支持更多的化學品和靈活的輔助清洗方案,比如公司獨有的專利技術(shù)SAPS和TEBO兆聲波技術(shù)。該設備可支持300mm晶圓單片SPM(硫酸和過氧化氫混合酸)工藝,可廣泛應用于先進邏輯、DRAM,3D-NAND等集成電路制造中的濕法清洗和刻蝕工藝,尤其針對處理高劑量離子注入后的光刻膠(PR)去除工藝,以及金屬刻蝕、剝離工藝。
D.單片槽式組合清洗設備
公司自主研發(fā)的具有全球知識產(chǎn)權(quán)保護的Tahoe清洗設備在單個濕法清洗設備中集成了兩個模塊:槽式模塊和單片模塊。Tahoe清洗設備可被應用于光刻膠去除,刻蝕后清洗,離子注入后清洗,機械拋光后清洗等幾十道關鍵清洗工藝中。Tahoe清洗設備的清洗效果與工藝適用性可與單片中溫SPM清洗設備相媲美,與此同時,與單片清洗設備相比,還可大幅減少硫酸使用量,幫助客戶降低了生產(chǎn)成本又能更好的符合節(jié)能減排的政策。該設備已完成客戶端驗證,進入量產(chǎn)階段。
E.單片背面清洗設備
公司研發(fā)的單片背面清洗設備采用伯努利卡盤,應用空氣動力學懸浮原理,使用機械手將晶圓送入腔體后,使晶背朝上,晶圓正面朝下,在工藝過程中,精準流量控制的高純氮氣通過晶圓與卡具之間的空隙。該設備可用于背面金屬污染清洗及背面刻蝕等核心工藝。
F.邊緣濕法刻蝕設備
該設備支持多種器件和工藝,包括3D NAND、DRAM和先進邏輯工藝,使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機材料薄膜,以及顆粒污染物。這種方法最大限度地減少了邊緣污染對后續(xù)工藝步驟的影響,提高了芯片制造的良率,同時整合背面晶圓清洗的功能,進一步優(yōu)化了工藝和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
G.前道刷洗設備
采用單片腔體對晶圓正背面依工序清洗,可進行包括晶圓背面刷洗、晶圓邊緣刷洗、正背面二流體清洗等清洗工序;設備占地面積小,產(chǎn)能高,穩(wěn)定性強,多種清洗方式靈活可選??捎糜诩呻娐分圃炝鞒讨星岸沃梁蠖胃鞯浪⑾垂に嚒?/P>
H.全自動槽式清洗設備
公司開發(fā)的全自動槽式清洗設備廣泛應用于集成電路領域和先進封裝領域的清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝,采用純水、堿性藥液、酸性藥液作為清洗劑,與噴淋、熱浸、溢流和鼓泡等清洗方式組合,再配以先進的常壓IPA干燥技術(shù)及先進的低壓IPA干燥技術(shù),能夠同時清洗50片晶圓。該設備自動化程度高,設備穩(wěn)定性好,清洗效率高,金屬、材料及顆粒的交叉污染低。該設備主要應用于40nm及以上技術(shù)節(jié)點的幾乎所有清洗工藝步驟。
②半導體電鍍設備
A.前道銅互連電鍍銅設備
公司自主開發(fā)針對28-14nm及以下技術(shù)節(jié)點的IC前道銅互連鍍銅技術(shù)Ultra ECP map。公司的多陽極局部電鍍技術(shù)采用新型的電流控制方法,實現(xiàn)不同陽極之間毫秒級別的快速切換,可在超薄籽晶層(5nm)上完成無空穴填充,同時通過對不同陽極的電流調(diào)整,在無空穴填充后實現(xiàn)更好的沉積銅膜厚的均勻性,可滿足先進工藝的鍍銅需求。
B.三維堆疊電鍍設備
應用于填充3d硅通孔TSV和2.5d轉(zhuǎn)接板的三維電鍍設備Ultra ECP 3d?;谑⒚腊雽w電鍍設備的平臺,該設備可為高深寬比(深寬比大于10:1)銅應用提供高性能、無孔洞的鍍銅功能。為提高產(chǎn)能而做的堆疊式腔體設計,該設備還能減少消耗品的使用,降低成本,節(jié)省設備使用面積。
C.新型化合物半導體電鍍設備
2022年Ultra ECP GIII電鍍設備在客戶實現(xiàn)量產(chǎn),應用于背面深孔鍍金和金互聯(lián)線以及Cu-Ni-Au等領域。通過差異化的技術(shù)以及靈活的模塊化設計,使新型化合物半導體電鍍機的競爭力進一步提升。
③立式爐管系列設備
公司研發(fā)的立式爐管設備主要包括LPCVD、氧化爐、擴散爐和爐管ALD。報告期內(nèi),公司以Ultra Fn立式爐設備平臺為基礎,進一步推出了ALD(熱原子層沉積)立式爐Ultra FnA。這款設備聚焦核心技術(shù)研發(fā),力求滿足高產(chǎn)能批式ALD工藝的高端要求。在能滿足原子層沉積工藝的同時具備低累積膜厚氣體清洗功能,保證顆粒的穩(wěn)定性。
④前道涂膠顯影Track設備
公司的前道涂膠顯影Ultra LithTM Track設備是一款應用于300毫米前道集成電路制造工藝的設備,可提供均勻的下降氣流、高速穩(wěn)定的機械手以及強大的軟件系統(tǒng),從而滿足客戶的特定需求。該設備功能多樣,能夠降低產(chǎn)品缺陷率,提高產(chǎn)能,節(jié)約總體擁有成本(COO)。涂膠顯影Track設備支持主流光刻機接口,支持包括i-line、KrF和ArF系統(tǒng)在內(nèi)的各種光刻工藝,可確保滿足工藝要求的同時,讓晶圓在光刻設備中曝光前后的涂膠和顯影步驟得到優(yōu)化。
⑤等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備
公司的等離子體增強化學氣相沉積Ultra PmaxTM PECVD設備配置自主知識產(chǎn)權(quán)的腔體、氣體分配裝置和卡盤設計,能夠提供更好的薄膜均勻性,更優(yōu)化的薄膜應力和更少的顆粒特性。
⑥無應力銅互連平坦化設備
公司的無應力拋光設備將無應力拋光技術(shù)SFP(Stress-Free-Polish)與低下壓力化學機械平坦化技術(shù)CMP相結(jié)合,集成創(chuàng)新了低k/超低k介電質(zhì)銅互連平坦化Ultra-SFP拋光集成系統(tǒng),集合二者優(yōu)點,利用低下壓力化學機械拋光先將銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)中銅膜拋至150nm厚度,再采用無應力拋光SFP智能拋光控制將直至阻擋層。再采用公司自主開發(fā)的熱氣相刻蝕技術(shù),將阻擋層去除。無應力拋光設備應用于銅低k/超低k互連結(jié)構(gòu)有諸多優(yōu)點:其一,依靠拋光自動停止原理,平坦化工藝后凹陷更均勻及精確可控;其二,工藝簡單,采用環(huán)保的可以循環(huán)實用的電化學拋光液,沒有拋光墊,研磨液等,耗材成本降低50%以上;對互聯(lián)結(jié)構(gòu)中金屬層和介質(zhì)層無劃傷及機械損傷;其三,可以將工藝擴展至新型材料鈷(Co)和釕(Ru)作為阻擋層的銅低k/超低k互聯(lián)結(jié)構(gòu)中。
⑦新型化合物半導體刻蝕設備
公司推出了6/8寸化合物半導體濕法工藝產(chǎn)品線,以支持化合物半導體領域的工藝應用,包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)等。
(2)后道先進封裝工藝設備
①先進封裝電鍍設備
公司在半導體先進封裝領域進行差異化開發(fā),解決了在更大電鍍液流量下實現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題,2022年在高速電鍍錫銀方面也實現(xiàn)突破,在客戶端成功量產(chǎn)。采用獨創(chuàng)的第二陽極電場控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制,實現(xiàn)高電流密度條件下的電鍍,凸塊產(chǎn)品的各項指標均滿足客戶要求。在針對高密度封裝的電鍍領域可以實現(xiàn)2μm超細RDL線的電鍍以及包括銅、鎳、錫、銀和金在內(nèi)的各種金屬層電鍍。自主開發(fā)的橡膠環(huán)密封專利技術(shù)可以實現(xiàn)更好的密封效果。2022年進一步擴大市場規(guī)模并取得高端客戶的批量訂單。
②涂膠設備
公司的升級版8/12寸兼容的涂膠設備,用于晶圓級封裝領域的光刻膠和Polyimide涂布、軟烤及邊緣去除。涂膠腔內(nèi)采用了公司特有的全方位無死角自動清洗技術(shù),可縮短設備維護時間。這款升級版涂膠設備對盛美原有的涂膠設備性能和外觀都進行了優(yōu)化升級,可實現(xiàn)熱板抽屜式抽出,方便維修及更換,并且能精確復位,有效保障工序運行。
③顯影設備
公司的Ultra C dv顯影設備可應用于晶圓級封裝,是WLP光刻工藝中的步驟。設備可進行曝光后烘烤、顯影和堅膜等關鍵步驟。設備具備靈活的噴嘴掃描系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)精準的藥液控制,技術(shù)先進,使用便捷。
④濕法刻蝕設備
公司的濕法刻蝕設備使用化學藥液進行晶圓球下金屬層(UBM)的刻蝕工藝。該設備具備先進的噴嘴掃描系統(tǒng),可提供行業(yè)領先的化學溫度控制、刻蝕均勻性,專注安全性,且藥液回收使用可減少成本。
⑤濕法去膠設備
公司的Ultra C pr濕法去膠設備設計高效、控制精確,提升了安全性,提高了WLP產(chǎn)能。該設備將濕法槽式浸洗與單片晶圓清洗相結(jié)合,能夠在靈活控制清洗的同時,最大限度地提高效率,也可與公司專有的SAPS兆聲波清洗設備一同使用,以清除極厚或者極難去除的光刻膠涂層。
⑥金屬剝離設備
公司的濕法金屬剝離(Metal Lift off)設備基于公司已有的濕法去膠設備平臺,將槽式去膠浸泡模塊與單片清洗腔體串聯(lián)起來依序使用,在去膠的同時進行金屬剝離。該設備可以在不同單片清洗腔中分別配置去膠功能和清洗功能,并通過優(yōu)化腔體結(jié)構(gòu),實現(xiàn)易拆卸、清洗與維護,以解決金屬剝離工藝中殘留物累積的問題。
⑦無應力拋光先進封裝平坦化設備
公司拓展開發(fā)適用于先進封裝3D硅通孔及2.5D轉(zhuǎn)接板中金屬銅層平坦化工藝應用,為了解決工藝成本高,晶圓翹曲大的難點,利用無應力拋光的電化學拋光原理,相對比傳統(tǒng)化學機械平坦化CMP,沒有研磨液,拋光頭,和拋光墊,僅使用可循環(huán)使用的電化學拋光液;并且不受銅層是否經(jīng)過退火的影響,去除率穩(wěn)定;通過與CMP工藝整合,先采用無應力拋光將晶圓銅膜減薄至小于0.5μm - 0.2μm厚度,再退火處理,最后CMP工藝的解決方案,能夠有效解決CMP工藝存在的技術(shù)和成本瓶頸。
(3)硅材料襯底制造工藝設備
①化學機械研磨后(Post-CMP)清洗設備
公司的CMP后清洗設備用于高質(zhì)量硅襯底及碳化硅襯底的制造。這款設備在CMP步驟之后,使用稀釋的化學藥液對晶圓正背面及邊緣進行刷洗及化學清洗,以控制晶圓的表面顆粒和金屬污染,該設備也可以選配公司獨有的兆聲波清洗技術(shù)。并且這款設備有濕進干出(WIDO)和干進干出(DIDO)兩種配置,可以選配2、4或6個腔體,以滿足不同產(chǎn)能需求。
②Final Clean清洗設備
公司的Final Clean清洗設備用于高質(zhì)量硅襯底及碳化硅襯底制造。這款設備在Pre Clean步驟之后,使用稀釋的化學藥液同時結(jié)合公司獨有的兆聲波清洗技術(shù)對晶圓正背面進行化學清洗,以控制晶圓表面顆粒和金屬污染。該設備適用于6寸、8寸或12寸晶圓清洗,并且可以選配4腔體、8腔體或12腔體,以滿足不同產(chǎn)能需求。
(二)主要經(jīng)營模式
1.盈利模式
公司作為一家面向國際科技前沿、堅持自主創(chuàng)新的半導體專用設備企業(yè),遵循全球行業(yè)慣例,主要從事技術(shù)和工藝研發(fā)、產(chǎn)品設計和制造,為客戶提供設備和工藝解決方案。公司自身幾乎不從事零部件加工業(yè)務,公司根據(jù)對產(chǎn)品的設計,組織零部件外購及外協(xié),建立了完善的供應鏈體系,與核心供應商建立了密切的合作關系,根據(jù)公司的銷售預測,提前部署下一年度的產(chǎn)能需求,提前做好產(chǎn)能安排及快速交付計劃,保障了對重要零部件的供應。作為設備廠商,公司提供驗證平臺,通過設備廠商帶動零部件技術(shù)攻關,實現(xiàn)對零部件企業(yè)的商業(yè)賦能。公司通過長期研發(fā)積累形成的技術(shù)優(yōu)勢,保持較高的產(chǎn)品毛利,進而保持較高比例的研發(fā)投入及市場開拓,在報告期內(nèi)實現(xiàn)了較高的利潤率。
2.研發(fā)模式
公司主要采用自主研發(fā)的模式。公司研發(fā)部門以半導體專用設備國際技術(shù)動態(tài)、客戶需求為導向,采用差異化競爭的策略,依靠具有豐富經(jīng)驗的國際化研發(fā)團隊,研發(fā)新工藝、新技術(shù),完成技術(shù)方案的驗證,并在全球主要半導體生產(chǎn)國家及地區(qū)申請專利保護,把研發(fā)成果快速產(chǎn)業(yè)化,取得了一系列的技術(shù)創(chuàng)新和突破。此外,公司在韓國組建了專業(yè)的研發(fā)團隊,結(jié)合中國上海以及韓國雙方研發(fā)團隊的各自優(yōu)勢,共同研發(fā)用于公司產(chǎn)品的差異化相關技術(shù),提升公司產(chǎn)品性能。公司制定了《研發(fā)項目管理辦法》,對研發(fā)項目的立項、審批、執(zhí)行等流程進行了規(guī)定。未來公司將繼續(xù)吸引國內(nèi)外的優(yōu)秀人才,擴大充實公司世界一流的研發(fā)團隊,為全球客戶不斷地提供最好的工藝解決方案。
3.采購模式
為保障公司產(chǎn)品質(zhì)量和性能,公司建立了完善的采購體系,在報告期內(nèi)進一步優(yōu)化了供應鏈資源、供應商準入體系和零部件供應策略。持續(xù)要求供應商填寫《供方調(diào)查表》,建立供應商檔案,了解供應商的人員情況、生產(chǎn)能力、設計能力、財務情況、關鍵零部件供應商情況、生產(chǎn)和檢測設備情況等,對供應商的產(chǎn)品技術(shù)與質(zhì)量、按時交貨能力和售后服務等進行綜合評估,最終確定合格供應商,納入合格供應商名單。報告期內(nèi),公司保持與主要供應商穩(wěn)定的長期合作關系。
4.生產(chǎn)模式
公司產(chǎn)品均為根據(jù)客戶的差異化需求,進行定制化設計及生產(chǎn)制造,主要采取以銷定產(chǎn)的生產(chǎn)模式,按客戶訂單組織生產(chǎn)。
公司制造部根據(jù)市場預測或客戶的非約束性預測,編制年度生產(chǎn)計劃,并結(jié)合客戶訂單情況編制每月生產(chǎn)計劃。公司研發(fā)設計工程師根據(jù)客戶訂單提供裝配圖紙,分發(fā)到倉庫和生產(chǎn)車間,進行倉庫領料、配料和裝配,預裝配并預檢合格后,交由生產(chǎn)線組裝,并進行各模塊的功能測試,測試合格后,下線發(fā)貨。公司對外協(xié)加工的質(zhì)量嚴格把關,與外協(xié)廠商建立了多年穩(wěn)定的合作關系,確保符合客戶的差異化需求。
5.銷售模式
公司自設立以來,始終堅持全球化發(fā)展戰(zhàn)略,客戶主要位于中國大陸、中國臺灣、韓國等國家和地區(qū)。公司的市場開拓策略為:首先開拓全球半導體龍頭企業(yè)客戶,通過長時間的研發(fā)和技術(shù)積累,取得其對公司技術(shù)和產(chǎn)品的認可,以樹立公司的市場聲譽。然后憑借在國際行業(yè)取得的業(yè)績和聲譽,持續(xù)開拓中國大陸等半導體行業(yè)新興區(qū)域市場。經(jīng)過多年的努力,公司已與海力士、華虹集團、長江存儲、中芯國際、合肥長鑫等國內(nèi)外半導體行業(yè)龍頭企業(yè)形成了較為穩(wěn)定的合作關系。
公司通過直銷模式銷售產(chǎn)品,不存在分銷和經(jīng)銷模式。報告期內(nèi),公司通過委托代理商推廣、與潛在客戶商務談判或通過招投標等方式獲取訂單。
(三)所處行業(yè)情況
1.行業(yè)的發(fā)展階段、基本特點、主要技術(shù)門檻
(1)行業(yè)發(fā)展態(tài)勢與面臨的機遇
①半導體應用和消費市場需求長期保持增長
2021年,中國大陸半導體設備市場銷售額為296.2億美元,同比大幅增長58%,全球市場占比28.9%,相比2020年占比小幅提高,第二次成為全球最大半導體設備市場。近兩年來,在全球缺芯的浪潮和國內(nèi)半導體市場強勁需求的推動下,中國大陸再次掀起了晶圓產(chǎn)能建設的高潮。Knometa Research 2022年版《全球晶圓產(chǎn)能報告》中預計,到2024年,在全球IC晶圓產(chǎn)能中,中國大陸的份額將達到19%,而這些新建的晶圓產(chǎn)能大多數(shù)是中國大陸實體所為。晶圓產(chǎn)能的擴張促進了中國半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展,半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的良性發(fā)展為中國半導體專用設備制造業(yè)產(chǎn)業(yè)的擴張和升級提供了機遇。
據(jù)SEMI的《全球半導體設備市場統(tǒng)計報告》,2022年全球半導體設備的銷售規(guī)模有望突破千億大關,為1175億美元,創(chuàng)歷史最高,小幅超越2021年的銷售額(1026億美元)。從全球范圍來看,中國大陸、中國臺灣和韓國在全球半導體設備市場中最為活躍,是半導體產(chǎn)業(yè)投資的熱點地區(qū);受消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)、汽車電子等領域快速發(fā)展的影響,設備投資大幅上升。
②全球半導體行業(yè)區(qū)域競爭加劇
半導體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風險大、下游應用廣泛等特點,疊加下游新興應用市場的不斷涌現(xiàn),半導體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢越來越明確。目前,中國大陸作為全球最大半導體終端產(chǎn)品消費市場,中國半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴大,中國大陸半導體專用設備需求將不斷增長。與此同時,受國內(nèi)外疫情的影響,國際形勢復雜,全球半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域競爭加劇。
(2)半導體專用設備行業(yè)特點
①半導體專用設備在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關重要
半導體專用設備作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈中核心技術(shù)與工藝的載體,在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中發(fā)揮著重要的基礎性支撐作用。半導體專用設備的技術(shù)復雜,客戶對設備的技術(shù)參數(shù)、運行的穩(wěn)定性有苛刻的要求,以保障生產(chǎn)效率、質(zhì)量和良率。集成電路制造工藝的技術(shù)進步,反過來也會推動半導體專用設備企業(yè)不斷追求技術(shù)革新。同時,集成電路行業(yè)的技術(shù)更新迭代也帶來對于設備投資的持續(xù)性需求,而半導體專用設備的技術(shù)提升,也推動了集成電路行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展。
②半導體專用設備技術(shù)壁壘高,通過客戶驗證難度大
半導體專用設備行業(yè)為技術(shù)密集型行業(yè),生產(chǎn)技術(shù)涉及微電子、電氣、機械、材料、化學工程、流體力學、自動化、圖像識別、通訊、軟件系統(tǒng)等多學科、多領域知識的綜合運用。半導體專用設備行業(yè)的國際巨頭企業(yè)的市場占有率很高,特別是在光刻機、檢測設備、離子注入設備等方面處于壟斷地位,且其在大部分技術(shù)領域已采取了知識產(chǎn)權(quán)保護措施,因此半導體專用設備行業(yè)的技術(shù)壁壘非常高。中國大陸少數(shù)企業(yè)經(jīng)過了十年以上的技術(shù)研發(fā)和工藝積累,在部分領域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)突破和創(chuàng)新,在避免知識產(chǎn)權(quán)糾紛的前提下,成功推出了差異化的產(chǎn)品,得到國內(nèi)外客戶的認可,產(chǎn)品走向了國際市場。半導體專用設備價值較高、技術(shù)復雜,對下游客戶的產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率影響較大。半導體行業(yè)客戶對半導體專用設備的質(zhì)量、技術(shù)參數(shù)、穩(wěn)定性等有嚴苛的要求,對新設備供應商的選擇也較為慎重。一般選取行業(yè)內(nèi)具有一定市場口碑和市占率的供應商,并對其設備開展周期較長的驗證流程。因此,半導體專用設備企業(yè)在客戶驗證、開拓市場方面周期較長、難度較大。
(3)集成電路設備行業(yè)技術(shù)門檻高,公司的技術(shù)水平與國際巨頭仍有差距,需加快技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程。當今國際先進水平的集成電路設備涉及微電子、電氣、機械、材料、化學工程、流體力學、自動化、圖像識別、通訊、軟件系統(tǒng)等多學科、多領域知識綜合運用及動態(tài)密封技術(shù)、超潔凈室技術(shù)、微粒及污染分析技術(shù)等多種尖端制造技術(shù)。因此,集成電路設備具有技術(shù)含量高、制造難度大、設備價值高和行業(yè)門檻高等特點,被公認為工業(yè)界精密制造最高水平的代表之一。
2.公司所處的行業(yè)地位分析及其變化情況
全球半導體清洗設備市場高度集中,尤其在單片清洗設備領域,DNS、TEL、LAM與SEMES四家公司合計市場占有率達到90%以上,其中DNS市場份額最高,市場占有率在35%以上。本土12英寸晶圓廠清洗設備主要來自DNS、盛美上海、LAM、TEL。
目前,中國大陸能提供半導體清洗設備的企業(yè)較少,主要包括盛美上海、北方華創(chuàng)、芯源微及至純科技。公司2020年銷售額突破10億元,2021年的收入達到16億元,比2020年銷售額增長約60%,位列全國集成電路設備企業(yè)前三;具備了成為國際領先集成電路設備企業(yè)的基礎和潛力。
根據(jù)中銀證券專題報告的歷年累計數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示,公司清洗設備的國內(nèi)市占率為23%;而Gartner2021年數(shù)據(jù)顯示,公司在全球單片清洗設備的市場份額已升至5.1%。除清洗設備外,公司亦積極擴大產(chǎn)品組合,在半導體電鍍設備、半導體拋銅設備、先進封裝濕法設備、立式爐管設備等領域擴大布局。2022年推出多款新設備新工藝產(chǎn)品,包括前道涂膠顯影Track設備、等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備等。2021年中國大陸半導體專用設備制造五強企業(yè)中,公司位列其中。
3.報告期內(nèi)新技術(shù)、新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)、新模式的發(fā)展情況和未來發(fā)展趨勢
為落實“十四五”數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃,支撐新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)率先發(fā)展,中國大力發(fā)展半導體制造裝備及工藝,促進科技創(chuàng)新,提升產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)競爭力,加快制造業(yè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,加強引領性科技攻關,保障數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展基礎。
(1)將向高精密化與高集成化方向發(fā)展
隨著半導體技術(shù)的不斷進步,半導體器件集成度不斷提高。一方面,芯片工藝節(jié)點不斷縮小,由12μm-0.35μm(1965年-1995年)到65nm-3nm(2005年-2022年),且還在向更先進的方向發(fā)展;另一方面半導體晶圓的尺寸卻不斷擴大,主流晶圓尺寸已經(jīng)從4英寸、6英寸,發(fā)展到現(xiàn)階段的8英寸、12英寸。此外,半導體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復雜。例如存儲器領域的NAND閃存,根據(jù)國際半導體技術(shù)路線圖預測,當工藝尺寸到達14nm后,目前的Flash存儲技術(shù)將會達到尺寸縮小的極限,存儲器技術(shù)將從二維轉(zhuǎn)向三維架構(gòu),進入3D時代。3D NAND制造工藝中,主要是將原來2D NAND中二維平面橫向排列的串聯(lián)存儲單元改為垂直排列,通過增加立體層數(shù),解決平面上難以微縮的工藝問題,堆疊層數(shù)也已經(jīng)從32層、64層向256層發(fā)展。這些對半導體專用設備的精密度與穩(wěn)定性的要求越來越高,未來半導體專用設備將向高精密化與高集成化方向發(fā)展。
(2)各類技術(shù)等級設備并存發(fā)展
考慮到半導體芯片的應用極其廣泛,不同應用領域?qū)π酒男阅芤蠹凹夹g(shù)參數(shù)要求差異較大,如手機使用的SoC邏輯芯片,往往需要使用12英寸晶圓、7nm的先進工藝,而對于工業(yè)、汽車電子、電力電子用途的芯片,仍在大量使用6英寸和8英寸晶圓及μm級工藝。不同技術(shù)等級的芯片需求大量并存,這也決定了不同技術(shù)等級的半導體專用設備均存在市場需求。未來隨著半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,適用于12英寸晶圓以及更先進工藝的半導體專用設備需求將以更快的速度成長,但高、中、低各類技術(shù)等級的設備均有其對應的市場空間,短期內(nèi)將持續(xù)并存發(fā)展。
(3)公司研發(fā)新工藝和設備
2022年公司推出了多款新設備和新工藝產(chǎn)品。包括新型化合物半導體濕法刻蝕設備、18腔300mm Ultra C VITM單晶圓清洗設備、全新升級版先進封裝用涂膠設備、新型化學機械研磨后(Post-CMP)清洗設備、新型熱原子層沉積Ultra FnATM立式爐設備、新添金屬剝離工藝的Ultra C prTM設備、前道涂膠顯影Ultra LithTM Track設備、等離子體增強化學氣相沉積Ultra PmaxTM PECVD設備。
3公司主要會計數(shù)據(jù)和財務指標
3.1近3年的主要會計數(shù)據(jù)和財務指標
單位:元 幣種:人民幣
■
3.2報告期分季度的主要會計數(shù)據(jù)
單位:元 幣種:人民幣
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季度數(shù)據(jù)與已披露定期報告數(shù)據(jù)差異說明
□適用 √不適用
4股東情況
4.1普通股股東總數(shù)、表決權(quán)恢復的優(yōu)先股股東總數(shù)和持有特別表決權(quán)股份的股東總數(shù)及前10名股東情況
單位: 股
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存托憑證持有人情況
□適用 √不適用
截至報告期末表決權(quán)數(shù)量前十名股東情況表
□適用 √不適用
4.2公司與控股股東之間的產(chǎn)權(quán)及控制關系的方框圖
√適用 □不適用
■
4.3公司與實際控制人之間的產(chǎn)權(quán)及控制關系的方框圖
√適用 □不適用
■
4.4報告期末公司優(yōu)先股股東總數(shù)及前10 名股東情況
□適用 √不適用
5公司債券情況
□適用 √不適用
第三節(jié) 重要事項
1公司應當根據(jù)重要性原則,披露報告期內(nèi)公司經(jīng)營情況的重大變化,以及報告期內(nèi)發(fā)生的對公司經(jīng)營情況有重大影響和預計未來會有重大影響的事項。
報告期內(nèi),公司實現(xiàn)營業(yè)收入28.73億元,較上年同期增長77.25%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為6.68億元,較上年同期增長151.08%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為6.90億元,較上年同期增長254.27%。
2公司年度報告披露后存在退市風險警示或終止上市情形的,應當披露導致退市風險警示或終止上市情形的原因。
□適用 √不適用
證券代碼:688082 證券簡稱:盛美上海 公告編號:2023-011
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
關于公司2022年度利潤分配預案的公告
本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,并對其內(nèi)容的真實性、準確性和完整性依法承擔法律責任。
重要內(nèi)容提示:
● 每股分配比例:每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利3.72元(含稅),不送紅股,不進行資本公積轉(zhuǎn)增股本。
● 本次利潤分配以實施權(quán)益分派股權(quán)登記日登記的總股本為基數(shù),具體日期將在權(quán)益分派實施公告中明確。
● 在實施權(quán)益分派的股權(quán)登記日前公司總股本發(fā)生變動的,維持分配總額不變,相應調(diào)整每股分配比例,并將另行公告具體調(diào)整情況。
● 公司2022年年度擬分配的現(xiàn)金紅利總額與2022年年度歸屬于上市公司股東凈利潤之比低于30%,主要出于對目前公司所處的行業(yè)特點及發(fā)展階段,結(jié)合目前經(jīng)營狀況及未來資金需求的綜合考慮。為推動公司各項戰(zhàn)略規(guī)劃落地,保證公司持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展,公司提出此2022年度利潤分配方案,既保護廣大投資者的合法權(quán)益,又兼顧公司持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展的需求。
一、利潤分配方案的內(nèi)容
經(jīng)立信會計師事務所(特殊普通合伙)出具的《審計報告》(信會師報字[2023]第ZI10026號),2022年母公司實現(xiàn)稅后凈利潤645,491,702.25元,提取10%的法定盈余公積金64,549,170.23元,加上年初母公司未分配利潤477,072,770.33元。截至2022年12月31日,母公司實現(xiàn)可供分配利潤額為人民幣1,058,015,302.35元。經(jīng)第二屆董事會第三次會議決議,公司2022年度擬以實施權(quán)益分派股權(quán)登記日登記的總股本為基數(shù)進行利潤分配。本次利潤分配方案如下:
截至2022年12月31日,公司總股本為433,557,100股,以總股本為基準,擬每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利3.72元(含稅),共計派發(fā)現(xiàn)金紅利161,283,241.20元(含稅),本次利潤分配現(xiàn)金分紅金額占2022年合并報表歸屬于母公司股東凈利潤的24.13%。本次利潤分配不送紅股,不進行資本公積轉(zhuǎn)增股本。
如在本公告披露之日起至實施權(quán)益分派股權(quán)登記日期間,公司總股本發(fā)生增減變動的,公司維持分配總額不變,相應調(diào)整每股分配比例。
本次利潤分配預案尚需提交公司2022年年度股東大會審議。
二、本年度現(xiàn)金分紅比例低于30%的情況說明
報告期內(nèi),上市公司實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤668,486,949.72元,截至2022年12月31日,母公司累計未分配利潤為1,058,015,302.35元,公司擬分配的現(xiàn)金紅利總額為161,283,241.20(含稅),占本年度歸屬于上市公司股東的凈利潤比例低于30%,具體原因分項說明如下:
(一)公司所處行業(yè)情況及特點
公司所處的半導體專用設備行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè),涉及微電子、電氣、機械、材料、化學工程、流體力學、自動化、圖像識別、通訊、軟件系統(tǒng)等眾多學科領域,具有較高的技術(shù)研發(fā)門檻。全球半導體專用設備行業(yè)市場競爭激烈,國際頭部企業(yè)每年都將大量資金投入研發(fā)以保證產(chǎn)品的技術(shù)提升及在市場中的競爭力,公司產(chǎn)品在其面向的市場均與國際頭部企業(yè)直接競爭。在此情況下,公司需要投入大量資金用于推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級,以不斷提升公司技術(shù)實力與核心競爭力。
(二)上市公司發(fā)展階段和自身經(jīng)營模式
公司目前正處于快速成長及戰(zhàn)略布局的重要發(fā)展階段,經(jīng)營規(guī)模不斷增大。公司將緊緊圍繞整體發(fā)展戰(zhàn)略,以技術(shù)創(chuàng)新為核心發(fā)展動力,以市場為導向,不斷提高經(jīng)營管理水平,持續(xù)在技術(shù)突破、新產(chǎn)品研制開發(fā)、人才培養(yǎng)、市場開拓、兼并收購、內(nèi)控建設等多方面保持較大投入,加強公司領先優(yōu)勢,加快戰(zhàn)略項目拓展,鞏固并提升市場占有率,在保持合理的毛利率的同時,擴大公司的收入規(guī)模,為客戶及股東創(chuàng)造價值。
(三)上市公司盈利水平及資金需求
公司2022年度實現(xiàn)營業(yè)收入2,873,045,516.26元,同比增長77.25%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤668,486,949.72元,同比增長151.08%。公司盈利能力不斷增強,整體財務狀況向好。但因處于快速發(fā)展階段仍有較大的資金需求。在充分考慮了目前的行業(yè)發(fā)展狀況、公司發(fā)展戰(zhàn)略以及重大資金支出安排等因素后,公司決定留存足額資金來滿足研發(fā)投入、產(chǎn)能建設、業(yè)務發(fā)展及流動資金需求,充分保障公司平穩(wěn)運營、健康發(fā)展。
(四)上市公司現(xiàn)金分紅水平較低的原因
鑒于目前公司所處的行業(yè)特點及發(fā)展階段,結(jié)合目前經(jīng)營狀況及未來資金需求,為推動公司各項戰(zhàn)略規(guī)劃落地,保證公司持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展,公司提出此2022年度利潤分配方案,既保護廣大投資者的合法權(quán)益,又兼顧公司持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展的需求。
(五)上市公司留存未分配利潤的確切用途以及預計收益情況
公司留存未分配利潤將轉(zhuǎn)入下一年度,用于加大研發(fā)投入、加強生產(chǎn)經(jīng)營發(fā)展,以提升公司核心競爭力,提高產(chǎn)品競爭力,進一步提升公司行業(yè)地位。公司將繼續(xù)嚴格按照相關法律法規(guī)和《公司章程》等相關規(guī)定的要求,并結(jié)合公司所處發(fā)展階段、經(jīng)營情況、現(xiàn)金流等各種因素,積極履行公司的利潤分配政策,與投資者共享公司發(fā)展的成果,更好地維護全體股東的長遠利益。
三、公司履行的決策程序
(一)董事會會議的召開、審議和表決情況
2023年2月23日,公司召開第二屆董事會第三次會議,全票審議通過了《關于2022年度利潤分配預案的議案》,并同意提交公司2022年年度股東大會審議,經(jīng)批準后實施。
(二)獨立董事意見
公司獨立董事認為:公司2022年度利潤分配預案,是公司基于行業(yè)發(fā)展情況、公司發(fā)展階段、自身經(jīng)營模式及資金需求的綜合考慮。其決策程序合法,符合有關法律法規(guī)、中國證券監(jiān)督管理委員會及上海證券交易所的相關規(guī)定,符合《公司章程》的相關規(guī)定,符合公司實際情況和長期發(fā)展規(guī)劃的需要,不存在損害公司及全體股東,特別是中小股東利益的情形。綜上,我們一致同意公司2022年度利潤分配預案,并同意董事會將該議案提交股東大會審議。
(三)監(jiān)事會意見
公司監(jiān)事會認為:公司2022年度利潤分配預案符合《公司法》等相關法律法規(guī)和《公司章程》的有關規(guī)定,未損害公司股東尤其是中小股東的利益,有利于公司的正常經(jīng)營和未來的健康發(fā)展。
三、相關風險提示
公司本次利潤分配預案結(jié)合了公司目前的發(fā)展階段、未來的資金需求等因素,不會對公司經(jīng)營現(xiàn)金流產(chǎn)生重大影響,不會影響公司正常經(jīng)營和長期發(fā)展。
公司2022年度利潤分配預案尚需提交公司2022年年度股東大會審議通過后方可實施,敬請投資者注意投資風險。
特此公告。
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
董事會
2023年2月25日
證券代碼:688082 證券簡稱:盛美上海 公告編號:2023-013
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
關于續(xù)聘公司2023年度審計機構(gòu)的公告
本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,并對其內(nèi)容的真實性、準確性和完整性依法承擔法律責任。
● 重要內(nèi)容提示
擬聘任的會計師事務所名稱:立信會計師事務所(特殊普通合伙)
盛美半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“公司”)于2023年2月23日召開第二屆董事會第三次會議,審議通過了《關于續(xù)聘2023年度審計機構(gòu)的議案》,公司擬續(xù)聘立信會計師事務所(特殊普通合伙)(以下簡稱“立信”)為公司2023年度審計機構(gòu)。該議案尚需提交公司股東大會審議,現(xiàn)將相關事宜公告如下:
一、擬續(xù)聘的會計師事務所基本情況
(一)機構(gòu)信息
1.基本信息
立信會計師事務所(特殊普通合伙)由我國會計泰斗潘序倫博士于1927年在上海創(chuàng)建,1986年復辦,2010年成為全國首家完成改制的特殊普通合伙制會計師事務所,注冊地址為上海市,首席合伙人為朱建弟先生。立信是國際會計網(wǎng)絡BDO的成員所,長期從事證券服務業(yè)務,新證券法實施前具有證券、期貨業(yè)務許可證,具有H股審計資格,并已向美國公眾公司會計監(jiān)督委員會(PCAOB)注冊登記。
截至2022年末,立信擁有合伙人267名、注冊會計師2,392名、從業(yè)人員總數(shù)10,620名,簽署過證券服務業(yè)務審計報告的注冊會計師674名。
立信2021年業(yè)務收入(經(jīng)審計)45.23億元,其中審計業(yè)務收入34.29億元,證券業(yè)務收入15.65億元。
2021年度立信為587家上市公司提供年報審計服務,審計收費7.19億元,本公司同行業(yè)上市公司審計客戶398家。
2.投資者保護能力
截至2022年末,立信已提取職業(yè)風險基金1.61億元,購買的職業(yè)保險累計賠償限額為12.50億元,相關職業(yè)保險能夠覆蓋因?qū)徲嬍е碌拿袷沦r償責任。
近三年在執(zhí)業(yè)行為相關民事訴訟中承擔民事責任的情況:
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3.誠信記錄
立信近三年因執(zhí)業(yè)行為受到刑事處罰無、行政處罰2次、監(jiān)督管理措施30次、自律監(jiān)管措施無和紀律處分2次,涉及從業(yè)人員82名。
(二)項目信息
1.基本信息
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(1)項目合伙人近三年從業(yè)情況:
姓名:唐藝
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(2)簽字注冊會計師近三年從業(yè)情況:
姓名:張靜
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(3)質(zhì)量控制復核人近三年從業(yè)情況:
姓名:章順文
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2.項目組成員獨立性和誠信記錄情況。
項目合伙人、簽字注冊會計師和質(zhì)量控制復核人不存在違反《中國注冊會計師職業(yè)道德守則》對獨立性要求的情形。
二、審計收費
公司2022年度的審計費用為人民幣290萬元,其中財務報告審計費用250萬元、內(nèi)部控制審計費用40萬元。2023年審計費用定價原則主要基于公司的業(yè)務規(guī)模、所處行業(yè)和會計處理復雜程度等多方面因素,并根據(jù)審計人員配備情況和投入的工作量以及事務所的收費標準確定。
公司董事會提請股東大會授權(quán)公司管理層根據(jù)2023年公司實際業(yè)務情況和市場情況等與審計機構(gòu)協(xié)商確定審計費用(包括財務報告審計費用和內(nèi)部控制審計費用),并簽署相關服務協(xié)議等事項。
三、擬續(xù)聘會計事務所履行的程序
(一)審計委員會的履職情況
公司董事會審計委員會對立信會計師事務所(特殊普通合伙)的資質(zhì)進行了嚴格審核。審計委員會認為其具備證券、期貨相關業(yè)務執(zhí)業(yè)資格,具備審計的專業(yè)能力和資質(zhì),在為公司提供審計服務期間,堅持獨立審計原則,勤勉盡責,客觀、公正、公允地反映公司財務狀況、經(jīng)營成果,切實履行了審計機構(gòu)應盡的職責。一致同意將續(xù)聘立信會計師事務所(特殊普通合伙)為公司2023年度審計機構(gòu)事項提交公司董事會審議。
(二)獨立董事的事前認可意見和獨立意見
獨立董事事前認可意見:立信會計師事務所(特殊普通合伙)具備從事相關業(yè)務資格及從事上市公司審計工作的豐富經(jīng)驗和職業(yè)素養(yǎng),在與公司的合作過程中,為公司提供了優(yōu)質(zhì)的審計服務,對于規(guī)范公司的財務運作起到了積極的建設性作用。其在擔任公司審計機構(gòu)期間,遵循《中國注冊會計師獨立審計準則》,勤勉、盡職,公允合理地發(fā)表了獨立審計意見。因此,我們一致同意續(xù)聘立信會計師事務所(特殊普通合伙)為公司2023年度審計機構(gòu),并將《關于續(xù)聘2023年度審計機構(gòu)的議案》提交至公司董事會審議。
獨立董事獨立意見:立信會計師事務所(特殊普通合伙)具有從事證券相關業(yè)務的資格,所出具的公司財務審計報告客觀、真實,準確反映了公司的財務狀況、經(jīng)營成果,工作勤勉盡責,執(zhí)業(yè)水平良好。公司續(xù)聘2023年度審計機構(gòu)的相關程序符合《中華人民共和國公司法》《盛美半導體設備(上海)股份有限公司章程》的規(guī)定,不存在損害公司和股東,特別是中小股東利益的行為。我們同意董事會審議通過相關議案后將其提交公司股東大會審議。
(三)董事會的審議和表決情況
公司董事會已于2023年2月23日召開的第二屆董事會第三次會議,審議并全票通過了《關于續(xù)聘2023年度審計機構(gòu)的議案》。
(四)生效日期
本次續(xù)聘2023年度審計機構(gòu)的事項尚需提交公司股東大會審議,并自公司股東大會審議通過之日起生效。
特此公告。
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
董事會
2023年2月25日
證券代碼:688082 證券簡稱:盛美上海 公告編號:2023-014
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
2022年度募集資金存放
與實際使用情況專項報告
本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,并對其內(nèi)容的真實性、準確性和完整性依法承擔法律責任。
根據(jù)中國證券監(jiān)督管理委員會《上市公司監(jiān)管指引第2號一一上市公司募集資金管理和使用的監(jiān)管要求(2022年修訂)》(證監(jiān)會公告[2022]15號)、《上海證券交易所科創(chuàng)板上市公司自律監(jiān)管指引第1號一一規(guī)范運作》的相關規(guī)定,本公司就2022年度募集資金存放與使用情況作如下專項報告:
一、募集資金基本情況
(一)實際募集資金金額、資金到位情況
經(jīng)中國證券監(jiān)督管理委員會《關于同意盛美半導體設備(上海)股份有限公司首次公開發(fā)行股票注冊的批復》(證監(jiān)許可[2021]2689號)批準,公司向社會公開發(fā)行人民幣普通股(A股)43,355,753股,發(fā)行價格為85.00元/股,募集資金總額為人民幣3,685,239,005.00元,扣除承銷商保薦及承銷費用人民幣173,832,028.54元,減除其他與發(fā)行權(quán)益性證券直接相關的外部費用人民幣30,148,456.12元(包括:審計費及驗資費12,467,000.00元、律師費10,904,467.37元、用于本次發(fā)行的信息披露費用4,575,471.70元、發(fā)行手續(xù)費及材料制作費等2,201,517.05元),募集資金凈額為人民幣3,481,258,520.34元。上述募集資金到位情況已經(jīng)立信會計師事務所(特殊普通合伙)審驗并出具信會師報字[2021]第ZI10561號《驗資報告》。
(二)2022年度募集資金使用情況及結(jié)余情況
截至2022年12月31日,募集資金累計使用及結(jié)余情況如下:
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注:募集資金結(jié)余金額詳情見本專項報告二、(二)及三、(四)。
二、募集資金管理情況
(一)募集資金的管理情況
為規(guī)范公司募集資金管理,保護中小投資者利益,公司已制定了《募集資金管理制度》,對募集資金的存放、使用以及監(jiān)督等作出了具體明確的規(guī)定。報告期內(nèi),公司嚴格按照公司《募集資金管理制度》的規(guī)定管理和使用募集資金,募集資金的存放、使用、管理均不存在違反《上海證券交易所科創(chuàng)板上市公司自律監(jiān)管指引第1號一一規(guī)范運作》等法規(guī)文件的規(guī)定以及公司《募集資金管理制度》等制度的情況。
2021年11月,公司和保薦機構(gòu)海通證券股份有限公司分別與招商銀行股份有限公司上海分行、中國光大銀行股份有限公司上海昌里支行、中國銀行股份有限公司上海市浦東開發(fā)區(qū)支行、上海銀行股份有限公司浦東分行、招商銀行股份有限公司上海陸家嘴支行、上海浦東發(fā)展銀行股份有限公司黃浦支行、招商銀行股份有限公司上?;春V?、興業(yè)銀行股份有限公司上海市北支行、寧波銀行股份有限公司上海長寧支行、中國工商銀行股份有限公司上海自貿(mào)試驗區(qū)新片區(qū)分行共同簽訂了《募集資金專戶存儲三方監(jiān)管協(xié)議》,公司及全資子公司盛帷半導體設備(上海)有限公司和保薦機構(gòu)海通證券股份有限公司與招商銀行股份有限公司上海分行共同簽訂了《募集資金專戶存儲四方監(jiān)管協(xié)議》。2022年10月,公司和保薦機構(gòu)海通證券股份有限公司與上海浦東發(fā)展銀行股份有限公司黃浦支行簽訂了《募集資金專戶存儲三方監(jiān)管協(xié)議之補充協(xié)議》。上述監(jiān)管協(xié)議明確了各方的權(quán)利和義務,協(xié)議主要條款與上海證券交易所《募集資金專戶存儲三方監(jiān)管協(xié)議(范本)》不存在重大差異。截至2022年12月31日,上述監(jiān)管協(xié)議履行正常。
(二)募集資金存儲情況
截至2022年12月31日,募集資金存儲情況如下:
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注:定期賬戶為系統(tǒng)自動生成,依托于活期賬戶而存在,資金進出均需通過募集資金專戶。
三、本報告期募集資金的實際使用情況
(一)募集資金投資項目(以下簡稱“募投項目”)的資金使用情況
本公司2022年度募集資金實際使用情況詳見附表《募集資金使用情況對照表》。
(二)募投項目先期投入及置換情況
本公司于2022年3月1日分別召開了第一屆董事會第十七次會議和第一屆監(jiān)事會第十四次會議,分別審議通過了《關于使用募集資金置換預先投入募投項目及已支付發(fā)行費用的自籌資金的議案》,同意公司使用募集資金人民幣209,203,489.29元置換預先投入募投項目的自籌資金,同意公司使用募集資金人民幣8,636,173.92元置換已預先支付發(fā)行費用的自籌資金,合計使用募集資金人民幣217,839,663.21元置換預先投入募投項目及已支付發(fā)行費用的自籌資金。公司監(jiān)事會、獨立董事對本事項發(fā)表了意見,保薦機構(gòu)海通證券股份有限公司出具了核查意見。
立信會計師事務所(特殊普通合伙)對上述募集資金投資項目先期投入及置換情況進行了專項核驗,并出具了《盛美半導體設備(上海)股份有限公司募集資金置換專項鑒證報告》(信會師報字[2022]第ZI10013號)。
具體內(nèi)容詳見公司于2022年3月2日在上海證券交易所網(wǎng)站披露的《關于使用募集資金置換預先投入募投項目及已支付發(fā)行費用的自籌資金的公告》(公告編號:2022-009)。
截至2022年12月31日,公司已完成對預先投入募投項目及已支付發(fā)行費用的自籌資金的置換。
(三)用閑置募集資金暫時補充流動資金情況
截至2022年12月31日,本公司不存在用閑置募集資金暫時補充流動資金的情況。
(四)對閑置募集資金進行現(xiàn)金管理,投資相關產(chǎn)品情況
本公司于2022年8月18日召開第一屆董事會第二十次會議、第一屆監(jiān)事會第十七次會議,審議通過了《關于使用閑置募集資金進行現(xiàn)金管理的議案》,同意公司在保證不影響募集資金計劃正常進行的前提下,使用最高不超過人民幣20億元的暫時閑置募集資金用于購買安全性高、流動性好、有保本約定的投資產(chǎn)品,使用期限自公司董事會、監(jiān)事會審議通過之日起12個月內(nèi)有效。在前述額度及期限范圍內(nèi),公司可以循環(huán)滾動使用。具體內(nèi)容詳見公司于2022年8月20日在上海證券交易所網(wǎng)站披露的《關于使用閑置募集資金進行現(xiàn)金管理的公告》(公告編號:2022-023)。
報告期內(nèi),公司使用部分閑置募集資金進行現(xiàn)金管理具體情況如下:
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(五)用超募資金永久補充流動資金或歸還銀行貸款情況
截至2022年12月31日,本公司不存在用超募資金永久補充流動資金或歸還銀行貸款情況。
(六)超募資金用于在建項目及新項目(包括收購資產(chǎn)等)的情況
本公司于2022年8月4日召開第一屆董事會第十九次會議及第一屆監(jiān)事會第十六次會議,審議通過《關于使用部分超募資金投資建設新項目的議案》,同意公司使用74,773.07萬元(含利息收益)用于投資建設新項目,其中使用超募資金人民幣73,087.15萬元。該議案于2022年9月8日經(jīng)公司2022年第一次臨時股東大會審議通過。具體內(nèi)容詳見公司于2022年8月8日在上海證券交易所網(wǎng)站披露的《關于使用部分超募資金投資建設新項目的公告》(公告編號:2022-019)
(七)節(jié)余募集資金使用情況
截至2022年12月31日,本公司不存在將募投項目節(jié)余資金用于其他募投項目或非募投項目的情況。
(八)募集資金使用的其他情況
截至2022年12月31日,本公司不存在募集資金使用的其他情況。
四、變更募投項目的資金使用情況
報告期內(nèi),本公司募投項目未發(fā)生變更。
五、募集資金使用及披露中存在的問題
本公司已披露的相關信息不存在不及時、不真實、不準確、不完整披露的情況。已使用的募集資金均投向所承諾的募集資金投資項目,不存在違規(guī)使用募集資金的情形。
六、會計師事務所對公司年度募集資金存放與使用情況出具的鑒證報告的結(jié)論性意見
立信會計師事務所(特殊普通合伙)認為:公司2022年度募集資金存放與使用情況專項報告在所有重大方面按照中國證券監(jiān)督管理委員會《上市公司監(jiān)管指引第2號一上市公司募集資金管理和使用的監(jiān)管要求(2022年修訂)》(證監(jiān)會公告[2022]15號)、《上海證券交易所科創(chuàng)板上市公司自律監(jiān)管指引第1號一一規(guī)范運作》的相關規(guī)定編制,如實反映了公司2022年度募集資金存放與使用情況。
七、保薦機構(gòu)對公司年度募集資金存放與使用情況所出具專項核查報告的結(jié)論性意見
經(jīng)核查,保薦機構(gòu)認為:公司2022年度募集資金的存放與使用符合《證券發(fā)行上市保薦業(yè)務管理辦法》《上市公司監(jiān)管指引第2號一一上市公司募集資金管理和使用的監(jiān)管要求》《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》《上海證券交易所科創(chuàng)板上市公司自律監(jiān)管指引第1號一一規(guī)范運作》等相關規(guī)定及公司募集資金管理制度,對募集資金進行了專戶存儲和使用,截至2022年12月31日,盛美上海不存在變相改變募集資金用途和損害股東利益的情形,不存在違規(guī)使用募集資金的情形,發(fā)行人募集資金使用不存在違反國家反洗錢相關法律法規(guī)的情形。保薦機構(gòu)對盛美上海2022年度募集資金存放與使用情況無異議。
特此公告。
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
董事會
2023年2月25日
附表:
募集資金使用情況對照表
2022年度
編制單位:盛美半導體設備(上海)股份有限公司 單位:人民幣元
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注1:“募集資金總額”是指扣除保薦承銷費及其他發(fā)行費用后的金額人民幣3,481,258,520.34元。
注2:“截至期末承諾投入金額”以最近一次已披露募集資金投資計劃為依據(jù)確定。
證券代碼:688082 證券簡稱:盛美上海 公告編號:2023-015
盛美半導體設備(上海)股份有限公司
關于使用部分超募資金向全資孫公司增資
以實施新建項目的公告
本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,并對其內(nèi)容的真實性、準確性和完整性依法承擔法律責任。
重要內(nèi)容提示:
● 新項目名稱:盛美韓國半導體設備研發(fā)與制造中心(以下簡稱“本項目”或“項目”)。
● 投資金額及資金來源:本項目計劃總投資24,500.00萬元,其中,建設投資18,984.70萬元,研發(fā)投入5,515.30萬元。資金來源為盛美半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“公司”或“盛美上海”)首次公開發(fā)行股票募集資金中超募資金。
● 公司于2023年2月23日召開第二屆董事會第三次會議和第二屆監(jiān)事會第三次會議,審議通過了《關于使用部分超募資金向全資孫公司增資以實施新建項目的議案》,同意公司以超募資金人民幣24,500.00萬元(折合韓元約462.95億,暫以董事會審議日匯率測算,具體外幣金額以增資當日匯率為準)向全資孫公司ACM Research Korea CO., LTD.(以下簡稱“盛美韓國”)增資以新建并實施“盛美韓國半導體設備研發(fā)與制造中心”項目,并同意通過技術(shù)許可的方式,將現(xiàn)有成熟技術(shù)授權(quán)于盛美韓國,應用到本項目的研發(fā)生產(chǎn)中。公司獨立董事對上述事項發(fā)表了同意的獨立意見,上述事項尚需提交公司股東大會審議。
● 本次投資不構(gòu)成關聯(lián)交易,亦不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組。
● 相關風險提示:項目建設過程中,可能面臨海外投資風險、市場風險以及產(chǎn)品研發(fā)風險。因此項目對公司未來業(yè)績的影響具有不確定性,敬請投資者注意投資風險。
一、募集資金基本情況
根據(jù)中國證券監(jiān)督管理委員會核發(fā)的《關于同意盛美半導體設備(上海)股份有限公司首次公開發(fā)行股票注冊的批復》(證監(jiān)許可[2021]2689號),公司于2021年11月18日首次公開發(fā)行A股43,355,753股,每股的發(fā)行價為人民幣85.00元,募集資金總額為人民幣3,685,239,005.00元,扣除發(fā)行費用人民幣203,980,484.66元(不含增值稅,下同)后,實際募集資金凈額(以下簡稱“募資凈額”)為人民幣3,481,258,520.34元。上述募資凈額已由立信會計師事務所(特殊普通合伙)審驗并出具信會師報字[2021]第ZI10561號《驗資報告》予以確認。
為規(guī)范公司募集資金管理和使用、保護投資者權(quán)益,公司設立了募集資金專項賬戶,并與保薦機構(gòu)、存放募集資金的商業(yè)銀行簽署了《募集資金專戶存儲三方監(jiān)管協(xié)議》。募集資金到賬后,已全部存放于經(jīng)公司董事會批準開設的募集資金專項賬戶內(nèi)。
二、募集資金使用情況
根據(jù)《盛美半導體設備(上海)股份有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書》,公司的募集資金投資項目及募集資金的使用計劃具體如下:
(下轉(zhuǎn)74版)
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